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三星宣布量产3纳米芯片

6月30日,三星电子官宣,基于3nm全环绕栅极(Gate-All-Around,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始于韩国华城工厂初步生产。这也意味着,三星抢先台积电成为全球首家实现3nm芯片量产的公司,以先发优势率先拿下3nm芯片市场。

三星电子表示,其3nm芯片在全球范围内首次采用了MBCFET(Multi-Bridge-Channel,多桥通道晶体管)技术,突破了FinFET技术的性能限制。该技术基于GAA晶体管架构,通过降低工作电压水平并增加驱动电流,有效提高了芯片性能及能耗比。

相较于三星5nm工艺而言,采用GAA晶体管的3nm工艺,在性能上提高了23%,功耗降低了45%,芯片面积减少16%。除了应用于高性能、低功耗计算领域,三星电子还计划将3nm工艺扩展至移动处理器领域。

内容来自:TechSugar

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