6月30日，三星电子官宣，基于3nm全环绕栅极（Gate-All-Around，简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始于韩国华城工厂初步生产。这也意味着，三星抢先台积电成为全球首家实现3nm芯片量产的公司，以先发优势率先拿下3nm芯片市场。

三星电子表示，其3nm芯片在全球范围内首次采用了MBCFET（Multi-Bridge-Channel，多桥通道晶体管）技术，突破了FinFET技术的性能限制。该技术基于GAA晶体管架构，通过降低工作电压水平并增加驱动电流，有效提高了芯片性能及能耗比。

相较于三星5nm工艺而言，采用GAA晶体管的3nm工艺，在性能上提高了23%，功耗降低了45%，芯片面积减少16%。除了应用于高性能、低功耗计算领域，三星电子还计划将3nm工艺扩展至移动处理器领域。

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