近日，SK海力士表示，近期成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生产128层4D NAND闪存。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技，美光11月宣布已批量出货176层NAND闪存。

    据SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

    4D NAND是SK Hynix对采用了PUC（Peri Under Cell）技术闪存的称呼。SK Hynix从96层堆叠开始使用这项技术，它将闪存芯片当中的附属电路置于闪存阵列下方，从而缩小芯片面积并提高晶圆的位产出率。与之类似的技术还有CuA（美光）、Xstacking（长江存储）等。

    今年10月份SK Hynix刚刚宣布收购英特尔的NAND闪存制造业务，不过整个交易需要等到2025年3月才能最终完成，届时SK Hynix有望超越铠侠，成为三星之下的世界第二大闪存制造商。

内容来自：中国半导体论坛